'무어의 법칙'
-
'무어의 법칙' 한계 뛰어넘는 반도체 핵심 소재 기술 개발카테고리 없음 2022. 6. 2. 09:10
UNIST·케임브리지, 두께 조절할 수 있는 단결정형태 질화붕소 합성 기술 최초 개발 수소연료전지 전해질막, 차세대 이차전지 전극, 양자광원 등 응용 가능 [서울경제] 2년마다 반도체 칩의 미세소자 집적도가 2배씩 증가한다는 ‘무어의 법칙’의 물리적 한계를 극복할 기술이 나왔다. 유니스트(UNIST·울산과학대학교)는 영국 케임브리지 대학교와 공동으로 차세대 고집적 반도체에 들어갈 2차원 절연체 소재 합성 기술을 개발했다고 1일 밝혔다. 이 연구는 최고 권위 과학 저널인 네이처에 공개했다. 연구팀에 따르면 고집적 반도체 칩의 전류누설과 발열과 같은 한계를 해결하기 위해 실리콘을 나노공정으로 얇게 깎는 대신, 이를 얇은 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴 등으로 바꾸는 반도체 칩 기술이 대안으로 꼽히고 있다..
-
한국 , '무어의 법칙' 깰 차세대 고집적 반도체 기술 선점카테고리 없음 2022. 6. 2. 08:58
울산과학기술원 신현석 교수 연구팀 세계 최초 육방정계 질화붕소 단결정을 여러층으로 합성 기술 고안 국내 연구진이 기존 반도체 기술의 한계인 '무어의 법칙'을 깰 수 있는 차세대 고집적 반도체 개발을 위한 핵심 기술을 고안해 냈다. 무어의 법칙은 반도체 집적회로(IC칩)에 집적하는 트랜지스터(미세소자)의 밀도가 2년마다 2배로 증가한다는 법칙으로 인텔의 고든 무어가 1965년에 발견한 관찰 결과다. 즉 반도체 집적을 획기적으로 빠르게 고도화시킬 수 있다는 얘기다. 과학기술정보통신부는 울산과학기술원(UNIST) 신현석 교수 연구팀이 세계 최초로 육방정계 질화붕소(hBN) 단결정을 여러층으로 합성할 수 있는 기술을 개발했다고 1일 밝혔다. 이번 연구 결과는 국제학술지인 네이처(Nature)에 2일자로 게재됐다..